羲之，中國曝光機精度逼近 卻難量產

中芯國際的中國之精 5 奈米量產因此受阻，無法取得最先進的曝光 EUV 機台，至於這些努力能否真正轉化為實質技術突破，機羲近但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間
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取消 確認華為也被限制在 7 奈米製程，機羲近

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• China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV,難量 But Limited to Research Applications, Not Mass Production

（首圖來源 ：中國杭州人民政府）

延伸閱讀：

• 中媒 ：中國推出首款國產電子束蝕刻機「羲之」

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為了突破 EUV 技術瓶頸，哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的 LDP 光源，使麒麟晶片性能提升有限
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外媒報導，

浙江大學余杭量子研究院研發的 100kV 電子束（EBL）曝光機「羲之」
 ，生產效率遠低於 EUV 系統。但生產效率仍顯不足 。最快今年第三季展開試產；如今浙江大學又帶來 EBL 新設備。